QSCB0805- 1R0

含能半導(dǎo)體橋絲（QSCB)是在原半導(dǎo)體橋(SCB)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上覆合含能層，用以激發(fā)強(qiáng)化其等離子體能量，使其輸出能量可以直接點(diǎn)火起爆藥。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導(dǎo)體橋絲（SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導(dǎo)體雪崩效應(yīng)，瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑，最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負(fù)阻效應(yīng)，等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統(tǒng)橋絲，使其具用超高的點(diǎn)火效率，從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導(dǎo)體橋絲（SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導(dǎo)體雪崩效應(yīng)，瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑，最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負(fù)阻效應(yīng)，等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統(tǒng)橋絲，使其具用超高的點(diǎn)火效率，從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

JMC0805- 8R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導(dǎo)體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過過載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉(zhuǎn)爆轟實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 6R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導(dǎo)體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過過載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉(zhuǎn)爆轟實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 2R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導(dǎo)體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過過載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉(zhuǎn)爆轟實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29